特許
J-GLOBAL ID：200903048776649269

3-5族化合物半導体及び発光素子

発明者：
家近 泰

家近 泰 について

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小野 善伸

小野 善伸 について

, 
高田 朋幸

高田 朋幸 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-218861
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064419
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】輝度や発光効率の高い3-5族化合物半導体及びこれを用いた可視又は紫外領域の発光素子を提供する。【解決手段】発光層5をこれよりもバンドギャップの大きな2つの層4と6とで挟み,さらにこの外側から一般式Inx Gay Alz N(但し,x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0.0001≦z≦0.10)で表される3-5族化合物半導体のn型の層3とP型の層7とで挟んだ積層構造の半導体素子である。これを基板1上にバッファー層2を介して積層して発光素子を構成する。
請求項（抜粋）：
p型の層及びn型の層を有し、発光層が両層の間に配置され、発光層の両側に発光層よりも大きなバンドギャップを有する2つの層が接してなる積層構造を含む発光素子用3-5族化合物半導体において、該p型の層が、一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0.0001≦z≦0.10)で表される3-5族化合物半導体であり、かつp型ドーパントがドープされてなることを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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