特許
J-GLOBAL ID：200903022436651545
半導体ウェーハ処理の一部分中にパルス化プラズマを供給する方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256459
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050611
出願日： 2000年07月24日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 プラズマを用いて半導体ウェーハを処理する方法及び装置を提供することである。【解決手段】 本方法は、ウェーハの直近にプラズマを形成させるステップと、処理の第1相中に、上記プラズマを用いて上記ウェーハを処理する間に上記プラズマに連続RF電力202を印加するステップと、処理の第2相中に、パルス化RF電力204を用いて上記ウェーハを処理するステップとを含んでいる。本装置は、ウェーハ支持体を備えている真空チャンバと、上記真空チャンバに結合されているプラズマ発生器と、上記プラズマ発生器に結合され、上記プラズマ発生器を制御するコントローラとを備え、上記プラズマ発生器は、処理の第1相中に上記ウェーハが処理されている間は連続RF電力202を発生し、上記処理の第2相中にパルス化RF電力204を供給する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを処理する方法であって、上記ウェーハの直近にプラズマを形成させるステップと、処理の第1相中に、上記プラズマを用いて上記ウェーハを処理している間に上記プラズマに連続RF電力を印加するステップと、上記処理の第2相中に、パルス化RF電力を用いて上記ウェーハを処理するステップと、を含んでいることを特徴とする方法。
Fターム (14件)：
5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BC06
, 5F004CA03
, 5F004CA06
, 5F004CA07
, 5F004CA08
, 5F004CB01
, 5F004CB02
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA23
, 5F004DB01
, 5F004DB08
