特許
J-GLOBAL ID：200903022438736394
ホウ素の外部拡散を防ぎ応力を減少させるためのN▲下2▼O窒化酸化物トレンチ側壁
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-530091
公開番号（公開出願番号）：特表2001-507864
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】半導体基板内に分離構造を形成する方法について説明する。最初に、半導体基板にトレンチをエッチングする。次に、トレンチに、第1の酸化物層を形成する。第1の酸化物層を、窒素酸化物ガス雰囲気にさらし、アニールして、第1の酸化物層の上にオキシ窒化物面を形成し、第1の酸化物層と半導体基板の間にシリコン・オキシ窒化物界面を形成する。次に、第1の酸化物層のオキシ窒化物面の上に、第2の酸化物層を堆積させる。本発明の方法と分離構造は、ドーパントの外部拡散を防ぎ、トレンチの応力を減少させ、薄いゲート酸化物のより均一な成長を可能にし、より薄いゲート酸化物の使用を可能にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に分離構造を形成する方法であって、a)前記半導体基板にトレンチをエッチングする段階と、b)前記トレンチ内の第1の酸化物層を形成する段階と、c)前記第1の酸化物層を酸化窒素(N2O)基体雰囲気にさらして、前記第1の酸化物層上にオキシ窒化物面を形成し、前記第1の酸化物層と前記半導体基板との間にシリコン・オキシ窒化物界面を形成する段階と、d)前記第1の酸化物層の前記オキシ窒化物面上に、第2の酸化物層を堆積させる段階とを含む方法。
引用特許：
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