特許

J-GLOBAL ID：200903022501242160

誘電体素子

発明者： 松下 重治 ,  原田 光昭
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284892
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210795
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 電極の酸化や酸化物系誘電体膜の膜特性の劣化を抑制することが可能な酸化物系誘電体膜を用いた誘電体素子を提供する。【解決手段】 強誘電体膜であるSBT膜(酸化物系誘電体膜)15を含むキャパシタ絶縁膜と、IrSi膜12またはIrSiN膜13を含むキャパシタ下部電極とを備えている。

請求項（抜粋）：

酸化物系誘電体膜を含む絶縁膜と、少なくとも金属およびシリコンを含有する第1導電膜を含む電極とを備え、前記金属は、Ir、Pt、Ru、Re、Ni、CoおよびMoからなるグループより選択される少なくとも1つを含む、誘電体素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371

Fターム (23件)：

5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AF05 ,  5F001AG30 ,  5F083FR01 ,  5F083FR05 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マイクロ電子構造体とその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196834   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
• 強誘電体記憶素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-210135   出願人：シャープ株式会社