特許
J-GLOBAL ID:200903022516823886
放射線撮像装置、その駆動方法及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-017808
公開番号(公開出願番号):特開2004-228517
出願日: 2003年01月27日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】小型かつ軽量で、容易に持ち運びすることができる放射線撮像装置、その駆動方法及びその製造方法を提供する。【解決手段】放射線撮像装置内に、放射線を画像にする撮像用光電変換素子1と放射線量をモニタするモニタ用光電変換素子2の双方が配置されている。モニタ用光電変換素子2はTFT型の素子で、その制御電極は、スイッチ素子として撮像用光電変換素子1に接続されたTFT3の制御配線であるゲート配線に接続されている。従って、配置位置まで引き回す配線が削減されている。放射線量をモニタする際には、モニタ用光電変換素子2の制御電極には半導体層の空乏化バイアスであるTFTのオフ電圧が印加されており、絶縁膜と半導体層の界面に蓄積されたホールは、TFT3の動作電圧で除去される。【選択図】 図8
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する複数の第1の半導体変換素子と、前記第1の半導体変換素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを備えた変換部と、
前記変換部内に入射した放射線の総照射量を検出するために前記基板上に配設され、放射線を電気信号に変換する電界効果トランジスタ型の第2の半導体変換素子と、を有し、
前記第2の半導体変換素子の制御電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうちから選択された少なくとも1個の薄膜トランジスタの制御電極に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
IPC (4件):
H01L27/14
, H01L27/146
, H01L31/09
, H04N5/32
FI (4件):
H01L27/14 K
, H04N5/32
, H01L27/14 C
, H01L31/00 A
Fターム (23件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA11
, 4M118CA25
, 4M118CB11
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118FB24
, 4M118GA10
, 5C024AX12
, 5C024CY47
, 5C024GX07
, 5C024GX09
, 5C024GY31
, 5C024HX02
, 5F088AA09
, 5F088AA20
, 5F088BA15
, 5F088BB03
, 5F088BB06
, 5F088BB07
引用特許: