特許
J-GLOBAL ID：200903022521662750

半導体装置およびその製造方法

発明者：
池上 雅明

池上 雅明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-126588
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324861
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 シリコンとポリシリコン間、あるいはポリシリコンとポリシリコン間のコンタクト抵抗のバラツキが小さく、安定したデバイス特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 上層ポリシリコン膜11を形成する前の洗浄工程において、H2O2 処理を行いシリコン表面に0.5nm〜10nm厚程度(この膜を介して不純物拡散が起こる程度)の薄くかつ均一な酸化膜20を形成し、上層ポリシリコン膜11形成後、RTP法による短時間高温アニール処理を施して薄くかつ均一な酸化膜20に均一に除去部分を形成する。
請求項（抜粋）：
第一導電型のシリコン半導体層と、上記第一導電型のシリコン半導体層上に積層された開口部を有する絶縁酸化膜と、上記絶縁酸化膜上に形成され、上記絶縁酸化膜に形成された開口部と同じ位置に開口部を有する第一のポリシリコン膜と、上記第一導電型のシリコン半導体層の、上記絶縁酸化膜および上記第一のポリシリコン膜の開口部を介して露出した部分に形成された第二導電型の不純物拡散層と、上記第一のポリシリコン膜上および上記開口部に形成された第二のポリシリコン膜と、上記第二導電型の不純物拡散層と上記第二のポリシリコン膜の間、および上記第一のポリシリコン膜と上記第二のポリシリコン膜の間に形成された均一に除去部分を有する薄くかつ均一なコンタクト用酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8249 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/331 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 21/28 301 A ,  H01L 27/06 321 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/06 321 B ,  H01L 29/72 P
Fターム (71件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104EE08 ,  4M104FF21 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG15 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F003AP03 ,  5F003BE02 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BH04 ,  5F003BH06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH08 ,  5F003BH18 ,  5F003BJ15 ,  5F003BP11 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048BA07 ,  5F048BA12 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB13 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048CA03 ,  5F048CA07 ,  5F048CA14 ,  5F048CA17 ,  5F048DA09 ,  5F048DA15 ,  5F140AA01 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AB07 ,  5F140BA01 ,  5F140BC12 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF17 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BF35 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG35 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB07 ,  5F140CB08 ,  5F140CC07
引用特許：
審査官引用 (2件)

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