レーザ結晶化方法及びそれを用いた半導体装置並びに応用機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-098658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289876
出願日： 1997年04月16日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】従来のアモルファスシリコン薄膜の結晶化方法では、大粒径でひずみが少ない結晶薄膜を得ることは困難である。【解決手段】アモルファスシリコン薄膜を内角θが180度未満の角を少なくとも一つ持つ形状に加工し、その後、線状のパルスレーザと内角θの二等分線とが交わる角度が(θ/2)より大きく(180度-θ/2)より小さくなるように、線状パルスレーザをアモルファスシリコン薄膜に照射し、かつ、線状パルスレーザの照射位置を基板に対して1パルス以上毎に移動してアモルファスシリコン薄膜を結晶化する。【効果】安価なガラス基板に記憶素子や演算素子を組み込んだ高機能画像素子等を作ることが可能になる。

請求項（抜粋）：

基板の全面或いは一部に堆積したアモルファスシリコン薄膜を、線状のパルスレーザの照射で結晶化するレーザ結晶化方法において、上記線状パルスレーザの照射に先立って、上記アモルファスシリコン薄膜を内角θが180度未満の角を少なくとも一つ持つ形状に加工し、上記線状のパルスレーザと上記内角θの二等分線とが交わる角度が(θ/2)より大きく(180度-θ/2)より小さくなるように、上記線状パルスレーザを上記アモルファスシリコン薄膜に照射し、かつ上記線状パルスレーザの照射位置を上記基板に対して1パルス以上毎に移動して上記アモルファスシリコン薄膜を結晶化することを特徴とするレーザ結晶化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-056481 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-072319
特開昭52-096864

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