絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056481
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228006
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】光アニールによって結晶化させた半導体被膜を用いて作製される薄膜トランジスタの特性、信頼性等を向上させる。【構成】非晶質半導体膜をその最も狭い部分の幅が100μm以下になるようにエッチングし、島状半導体領域を形成する。そして、これにレーザー等の強光を照射することにより光アニールを施し、結晶化させる。その後、前記半導体膜の端部(周辺部)のうち、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを形成する部分、もしくはゲイト電極の横断する部分をエッチングする。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜を、その最も狭い部分の幅が100μm以下である第1の形状にエッチングし、島状半導体領域を形成する工程と、前記半導体領域に光アニールを施して、結晶化せしめる、もしくは、結晶性を高める工程と、前記半導体領域の端部のうち、少なくとも半導体装置のゲイト電極もしくはチャネルを形成する部分を端から10μm以上エッチングして、第2の形状の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (5件)：

H01L 29/78 618 A , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭57-109322
半導体材料およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-080799 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-072319

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