特許
J-GLOBAL ID：200903022550464887
非窒化ガリウム柱を含む基板上に窒化ガリウム半導体層を製造する方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-559046
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526907
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：
【要約】基板はそれらの間に溝を規定する非窒化ガリウム柱を含み、この非窒化ガリウム柱は非窒化ガリウム側壁および非窒化ガリウム頂部を含み、溝は非ガリウム底を含む。窒化ガリウムは、非窒化ガリウム頂部の上を含む非窒化ガリウム柱上に成長される。好適には、窒化ガリウムのピラミッドが非窒化ガリウム頂部に成長され、次に窒化ガリウムがその窒化ガリウムのピラミッド上に成長される。窒化ガリウムピラミッドは好適には第1の温度で成長され、窒化ガリウムは好適には第1の温度より高い第2の温度でそのピラミッド上に成長される。第1の温度は好適には約1000°Cあるいはそれより低く、第2の温度は好適には約1100°Cあるいはそれより高い。しかしながら、温度以外は、好適には、両成長工程に同一のプロセス処理条件が使用される。ピラミッド上に成長される窒化ガリウムは好適には会合して連続した窒化ガリウム層を形成する。したがって、窒化ガリウムは、窒化ガリウム成長プロセス中にマスクを形成する必要なく成長させることができる。さらに、窒化ガリウムの成長は、温度の変更以外は同一のプロセス条件を使用して行うことができる。したがって、窒化ガリウムの成長を中断することなく行うことができる。
請求項（抜粋）：
それらの間に溝を規定する複数の非窒化ガリウム柱を含み、これらの非窒化ガリウム柱は非窒化ガリウム側壁および非窒化ガリウム頂部を含み、上記溝は非窒化ガリウム底を含む基板を用意する工程と、 上記非窒化ガリウム頂部の上を含む上記非窒化ガリウム柱上に窒化ガリウムを成長させる工程とを有する窒化ガリウム半導体構造体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD15
, 5F045AF02
, 5F045AF09
, 5F045AF11
, 5F045BB12
, 5F045DA52
, 5F045DA67
, 5F045DB02
, 5F045DB04
