特許
J-GLOBAL ID：200903098758596368

半導体装置およびその製造方法

発明者：
森田 悦男

森田 悦男 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180930
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021772
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板上に成長させる窒化物系III-V族化合物半導体層の結晶性の向上を図る。【解決手段】 サファイア基板1の一主面に複数の凹部1aを形成し、その上に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる。凹部1aの内面の少なくとも一部はサファイア基板1の一主面に対して10度以上の角度をなす。凹部1aの内部は、窒化物系III-V族化合物半導体層よりもAl組成比が高い窒化物系III-V族化合物半導体結晶、例えばAl組成比xが0.2以上のAlxGa1-x N結晶16で埋め込まれる。凹部1aは深さを25nm以上、幅を30nm以上とする。凹部1aはサファイア基板1のサーマルクリーニング時に形成してもよいし、リソグラフィーおよびエッチング、サーマルエッチングなどを用いて形成してもよい。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に成長させた窒化物系III-V族化合物半導体層を用いた半導体装置において、上記サファイア基板と上記窒化物系III-V族化合物半導体層との界面における上記サファイア基板に凹部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (20件)：
5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA72 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F052DA04 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052GC06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA12 ,  5F073DA13 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (5件)
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