半導体スイッチング素子及びそれを用いた電力変換装置並びに半導体スイッチング素子の駆動方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045174
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242165
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】IGBTの損失を低減する。【解決手段】IGBTにおいて、主接合J1から広がる空乏層31のpコレクタ層27側端部に局所ライフタイム制御部210を設ける。【効果】一部のライフタイムが短くなるだけなのでオン状態の時の電圧降下が小さくなる。また、ターンオフ時、空乏層のpコレクタ層側端部のライフタイムが短いので、空乏層外にあってターンオフ損失を増大させるキャリアが短時間に低減されるので、ターンオフ損失が大幅に少なくなる。

請求項（抜粋）：

一対の主電極と、前記主電極間に流れる電流をスイッチング制御するための制御電極と、を備え、前記主電極間に、少なくとも、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層に隣接する第2導電型の第2の半導体層と、前記第2の半導体層に隣接する第1導電型の第3の半導体層と、を有し、前記第2の半導体層には、局所的にキャリアライフタイム制御が施された局所ライフタイム制御領域が形成され、使用電源電圧において、前記第2の半導体層と第3の半導体層との接合部から前記第2の半導体層に広がる空乏層の端部が前記局所ライフタイム制御領域に到達することを特徴とする半導体スイッチング素子。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 29/78 658 H , H01L 29/78 655 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭64-019771
特開平1-199469
絶縁ゲート型サイリスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-078534 出願人：富士電機株式会社

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