特許
J-GLOBAL ID:200903022621685170

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 大胡 典夫 ,  竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-290231
公開番号(公開出願番号):特開2005-064120
出願日: 2003年08月08日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
【課題】 高密度プラズマや表面波電界等の影響を受けても、被処理物が金属汚染の発生することのないプラズマ装置とその方法を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理装置のチャンバ1の側壁に設けるガス供給管5A、5Bを、チャンバ1の内部に誘電体窓9と離間して平行に設けられているガス分離板2を挟んだ位置にそれぞれ配置する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導波管内を進行したマイクロ波をチャンバ内に導くマイクロ波導入手段と誘電体窓とを具備し、かつ、前記チャンバ内には前記誘電体窓と所定空間を介して対向した位置に被処理物を保持するための静電チャックが配置され、かつ、該チャンバの上部から前記チャンバ内へガスを供給するガス供給管が設けられ、該チャンバ内のガスを前記マイクロ波によりプラズマ化することにより前記被処理物を処理するプラズマ処理装置であって、 前記ガス供給管は、前記チャンバの内部に前記誘電体窓と離間して平行に設けられているガス分離板を挟んだ位置にそれぞれ配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1件):
H01L21/3065
FI (1件):
H01L21/302 101D
Fターム (10件):
5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • レジスト除去方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-352682   出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
審査官引用 (2件)

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