特許
J-GLOBAL ID:200903022659175052
半導体装置およびトリミング方法ならびに記録媒体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-332822
公開番号(公開出願番号):特開2001-155905
出願日: 1999年11月24日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】コンタクトショートにより生じた欠陥画素による影響を軽減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】入射赤外線を電気信号に変換するボロメータ101が画素に対応して2次元配列された半導体装置において、任意の画素を選択するための手段として、垂直スイッチ101、垂直シフトレジスタ105、水平スイッチB111、水平シフトレジスタB112を有し、これらによって選択された画素のボロメータ101に対して過電流を供給可能に構成されている。
請求項(抜粋):
入射赤外線を電気信号に変換する、または、赤外線を発光する薄膜抵抗体が画素に対応して2次元配列された半導体装置において、任意の薄膜抵抗体を選択する選択手段を有し、該選択手段にて選択された薄膜抵抗体に対して過電流を供給可能に構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01C 7/00
, G01J 1/42
, H01C 7/04
, H01L 27/14
, H04N 5/33
FI (7件):
H01C 7/00 C
, H01C 7/00 X
, G01J 1/42 B
, H01C 7/04
, H04N 5/33
, H01L 27/14 Z
, H01L 27/14 K
Fターム (38件):
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA12
, 2G065BA34
, 2G065BC11
, 2G065BC33
, 2G065BC35
, 2G065BE08
, 2G065DA18
, 4M118AA07
, 4M118AA09
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118BA14
, 4M118CA14
, 4M118CA34
, 4M118CA35
, 4M118CB14
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118GA10
, 5C024AA06
, 5C024CA12
, 5C024FA01
, 5C024GA06
, 5C024GA40
, 5C024HA01
, 5C024HA24
, 5E033AA03
, 5E033BC01
, 5E033BD11
, 5E033BE02
, 5E033BE06
, 5E033BG02
, 5E034BA10
, 5E034BB04
, 5E034BC07
引用特許:
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