ダイオード

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-057024
公開番号（公開出願番号）：特開2009-218236
出願日： 2008年03月06日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

【課題】 n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。【解決手段】 n型半導体領域22と、n型半導体領域22の表面の一部に設けられているp型半導体領域14と、n型半導体領域22の表面とp型半導体領域14の表面に接しており、少なくともn型半導体領域22の表面にショットキー接合Jbしているアノード電極2(表面電極)と、n型半導体領域22に接する右側面30b(第1側面)及び左側面30a(第2側面)を有する絶縁領域30を備えている。右側面30bは、ショットキー接合Jbの下方に位置する第2n型半導体領域22bに対向しており、左側面30aは、n型半導体領域22とp型半導体領域14とのpn接合13の下方に位置する第1n型半導体領域22aに対向している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型半導体領域と、そのn型半導体領域の表面の一部に設けられているp型半導体領域と、前記n型半導体領域の表面と前記p型半導体領域の表面に接しており、少なくとも前記n型半導体領域の表面にショットキー接合している表面電極と、前記n型半導体領域に接する第1側面及び第2側面を有する絶縁領域と、を備えており、前記絶縁領域の第1側面は、前記n型半導体領域の表面と前記表面電極とのショットキー接合の下方に位置する前記n型半導体領域に対向しており、前記絶縁領域の第2側面は、前記n型半導体領域と前記p型半導体領域とのpn接合の下方に位置する前記n型半導体領域に対向しているダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (1件)：

H01L29/48 F

Fターム (15件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104EE01 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104FF32 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (6件)

炭化けい素ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132479 出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161042 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-062710 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161042 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-062710 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-105975

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