特許
J-GLOBAL ID：200903022678965331

半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに回路基板及び電子機器

発明者：
石井 誠

石井 誠 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040956
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253528
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】簡略な製造プロセスで再配置配線と突起状の電極としての接続部を共に形成することができる半導体装置の製造方法及び当該方法で製造される半導体装置並びに当該半導体装置を備える回路基板及び電子機器を提供する。【解決手段】基板10上に応力緩和層26を形成するとともに接続端子24の一部を基板10内に埋め込むための孔部を形成した後で、基板10の上面に下地膜22を形成し、その後に接続端子24及び再配置配線32を順に形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電子回路が形成された基板上に応力緩和層を形成する第1工程と、 前記第1工程後に、前記応力緩和層が形成された部分以外に前記電子回路の外部電極となる接続部を形成する第2工程と、 前記第1工程後に、前記応力緩和層上に前記接続部と電気的に接続される再配置配線を形成する第3工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205
FI (2件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/88 T
Fターム (27件)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH23 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ31 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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