特許
J-GLOBAL ID：200903059879322588

半導体装置及びその製造方法

発明者：
和田 健嗣

和田 健嗣 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-192539
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016212
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 製造工程の簡略化が図れ、かつ歩留まりを向上させることができるようにする。【解決手段】 複数の半導体チップ形成部3を備えた半導体ウエハ5を用意し、それぞれの半導体チップ形成部3について電気的特性検査を行い、良品部分または不良品部分の判定を行い、良品部分と判定された各半導体チップ形成部3に、少なくとも一つの個片の他の半導体チップ9を電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップ形成部を備えた半導体ウエハを用意する工程と、それぞれの前記半導体チップ形成部について電気的特性検査を行い、良品部分または不良品部分の判定を行う工程と、良品部分と判定された各半導体チップ形成部に、少なくとも一つの個片の他の半導体チップを電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/12 501
FI (4件)：
H01L 21/66 A ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 25/08 B
Fターム (1件)：
4M106AA01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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