特許
J-GLOBAL ID：200903022697526357
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-047200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229050
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】本発明は基板の熱処理を常に均一な温度分布で行うことができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】ランプアニール装置1は、チャンバー3内に導入されたガスとともに収容されたウエハ9に対して光照射加熱用ランプ4a、4bを駆動して熱処理を行う。熱処理中は、チャンバー3内に導入されたガスと同じガスをガス吹出パイプ5a、5bに導入して、所定圧力でガス吹出口6a、6bからチャンバー3の内壁面に向けて吹き出し、ガス排気口7a、7bからチャンバー3外へガスを排出する。このため、チャンバー3の内壁面近傍には、一定方向のガス流が形成され、ウエハ9から発生するアウトガスをガス流で吹き飛ばして、チャンバー3外へ排出するため、内壁面がアウトガスにより汚れず、光照射加熱用ランプ4a、4bからの光がウエハ9に均一に照射されて、常に均一な温度分布で熱処理することができる。
請求項（抜粋）：
周囲が壁面で覆われ、該壁面の少なくとも一部が光透過性材料で形成され、内部に基板が収納可能な基板収納容器と、前記基板収納容器の壁面の外側に配置され、前記基板収納容器内に収納された前記基板に光を照射して加熱する加熱手段と、を備え、前記基板収納容器内で前記基板を熱処理する半導体製造装置において、前記基板収納容器内を満たす気体と同一の気体を前記基板収納容器の内壁面に吹き付けて、該内壁面付近に気体の流れを形成する気流形成手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
引用特許：
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