特許

J-GLOBAL ID：200903022749137974

CPP構造磁気抵抗効果素子

発明者： 瀬山 喜彦 ,  長坂 恵一 ,  大島 弘敬 ,  清水 豊 ,  田中 厚志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 山▲崎▼ 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003460
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204094
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 少ない積層数で確実に大きな抵抗変化量を得ることができるCPP構造磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 CPP構造磁気抵抗効果(MR)素子はスピンバルブ膜43を備える。スピンバルブ膜43では、非磁性中間層55を構成する導電層55a、55bの間に境界面BRが規定される。境界面BRに沿って磁性金属物質56および絶縁性物質57は分布する。センス電流の通り道は絶縁性物質57の働きで狭められる。こうしたCPP構造磁気抵抗効果素子では、自由側強磁性層58で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。小さな電流値のセンス電流で十分なレベルの電圧変化は検出される。このCPP構造MR素子は磁気記録の一層の高密度化や消費電力の低減に大いに貢献することができる。

請求項（抜粋）：

自由側強磁性層と、固定側強磁性層と、自由側強磁性層および固定側強磁性層の間に挟み込まれて、複数の導電層から構成される非磁性中間層と、少なくとも1対の導電層同士の間に規定される境界面に沿って分布する絶縁性物質とを備えることを特徴とするCPP構造磁気抵抗効果素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39

Fターム (7件)：

5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強磁性トンネル素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259938   出願人：富士通株式会社
• 磁性メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276576   出願人：日本ビクター株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Oxygen as a surfactant in the growth of giant magnetoresistance spin valves"