特許

J-GLOBAL ID：200903022820991329

絶縁膜形成用SOG、及び絶縁膜及びその形成方法

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317684
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153792
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 特にダミーパターンの形成を要さずに良好な平坦化を達成するために用いることができる絶縁膜形成用SOG、及び絶縁膜及びその形成方法を提供する。【構成】 ?@塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOG4であって、該SOG中には、SOGよりもエッチング速度が高い固形物質31を混入させる。?A上記?@を用いた絶縁膜及びその形成方法。

請求項（抜粋）：

塗布して処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜形成用SOGであって、該SOG中には、SOGよりもエッチング速度が高い固形物質を混入させたことを特徴とする絶縁膜形成用SOG。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-245014   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-063625   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046222   出願人：富士通株式会社