半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114456
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316465
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】ゲート絶縁膜を破壊したりすることなく良好な生産性で、1/f雑音を低減することのできる半導体装置を実現する。【構成】 p型シリコン(100)基板1にLOCOS絶縁膜2を形成した後、ゲート絶縁膜3を形成する前の基板1の表面にフッ素イオンを注入量1×1012〜1×1014cm-2で注入する。その後、ゲート絶縁膜3を形成すると同時に、ゲート絶縁膜3形成時の熱処理によりフッ素原子4がゲート絶縁膜3と基板1との界面に拡散する。その後、ポリシリコンのゲート電極5を形成し、n型のソース・ドレイン領域6形成のための砒素イオン注入を行い、最後に、ソース・ドレイン領域6の活性化のために900°C、30分のアニールを窒素ガス雰囲気で行うと、ゲート絶縁膜3と基板1との界面にフッ素原子4が固定したMOSFETを作製できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にソース・ドレイン領域を形成し、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した半導体装置であって、前記半導体基板表面,前記ゲート絶縁膜中または前記ゲート絶縁膜と前記半導体基板との界面にフッ素イオンをイオン注入法により注入量1×1012〜1×1014cm-2で注入を行い、その後の熱処理により前記ゲート絶縁膜と前記半導体基板との界面にフッ素原子を固定したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/148

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/265 F , H01L 27/08 102 B , H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-163876
特開平2-303030
特開2043-166960

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