特許

J-GLOBAL ID：200903022846936296

サージ吸収素子及びその製造方法

発明者： 稲場 均 ,  田中 芳幸 ,  社藤 康弘 ,  劉 炳宣 ,  原田 宏一郎
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341476
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160502
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 放電開始電圧の低電圧化と、長寿命化とを同時に達成することのできるサージ吸収素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 耐熱性を有する絶縁基板21上に微小間隙25を隔てて一対の放電電極27が形成され、微小間隙25を密閉空間33内に包囲するキャップ29が絶縁基板21上に密着されたサージ吸収素子35において、絶縁基板21と放電電極27との間に少なくとも絶縁基板21より耐熱性の低い低耐熱絶縁層23を設けた。また、その製造方法は、絶縁基板21上に帯状の低耐熱絶縁層23を形成し、この低耐熱絶縁層23上に同一帯状の導電膜を積層し、導電膜を、長手方向に直交する方向でレーザーカットにより低耐熱絶縁層23と共に分断して微小間隙25を隔てた一対の放電電極27に形成する。

請求項（抜粋）：

耐熱性を有する絶縁基板上に微小間隙を隔てて一対の放電電極が形成され、前記微小間隙を密閉空間内に包囲するキャップが前記絶縁基板上に密着されたサージ吸収素子において、前記絶縁基板と前記放電電極との間に少なくとも前記絶縁基板より耐熱性の低い低耐熱絶縁層が設けられたことを特徴とするサージ吸収素子。

引用特許：

出願人引用 (4件)

• サージ吸収素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065058   出願人：株式会社ハイテック・システムズ
• 特開昭56-059490
  
• チップ型サージアブソーバ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074039   出願人：三菱マテリアル株式会社
• チップ型サージアブソーバ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-038606   出願人：三菱マテリアル株式会社