特許
J-GLOBAL ID:200903022872234410
有機半導体材料並びにそれを用いた有機半導体素子及び電界効果トランジスタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
目次 誠
, 宮▲崎▼主税
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-217278
公開番号(公開出願番号):特開2008-053248
出願日: 2006年08月09日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】キャリア移動度が高い有機半導体材料及びそれを用いた有機半導体素子を得る。【解決手段】2級または3級アミンの構造を有するアミン単位と、チオフェン環の構造を有するチオフェン単位とからなることを特徴とする有機半導体材料であり、アミン単位が、好ましくは、以下の構造を有することを特徴としている。 (式中、R1、R2及びR3は、水素、置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されてもよいエーテル基、または置換されてもよいアリール基であり、互いに同一または異なっていてもよい。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
2級または3級アミンの構造を有するアミン単位と、チオフェン環の構造を有するチオフェン単位からなることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (4件):
H01L 51/30
, H01L 51/05
, H01L 51/40
, H01L 29/786
FI (4件):
H01L29/28 250H
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 310J
, H01L29/78 618B
Fターム (14件):
5F110AA01
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF35
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK32
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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引用文献:
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