特許
J-GLOBAL ID：200903022891080890
磁気抵抗センサ及びその製造方法並びに磁気記録再生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335173
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222712
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 Ta以外の下地層を用いてTa下地層を用いた場合と略同程度に良好な結晶性を有するMR層が得られ、かつ、さらに高い抵抗変化率を得るようにする。【解決手段】 下地層12上に自由磁性層13と非磁性層14と固定磁性層15と固定磁性層15に磁化を付与する第1の磁化バイアス層16とがこの順に又はこの逆の順に積層された積層構造と、積層構造のセンス領域の両側に接続されてセンス電流をセンス領域の一方の側から導き入れ、かつ、その他方の側から導き出す対の電極層とを有し、センス領域の積層構造の抵抗変化により信号磁界を検出する磁気抵抗センサにおいて、下地層12の材料がZr又はZrを含む合金である。
請求項（抜粋）：
下地層上に磁性層と非磁性層が積層された積層構造と、該積層構造のセンス領域の両側に接続されてセンス電流を前記センス領域の一方の側から導き入れ、かつ、その他方の側から導き出す対の電極層とを有してなり、前記センス領域の積層構造の抵抗変化により信号磁界を検出する磁気抵抗センサであって、前記下地層の材料がZr又はZrを含む合金であることを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01F 10/26
G11B 5/39
, H01F 10/26
, G01R 33/06 R
