特許
J-GLOBAL ID：200903022921666402

半導体スイッチ

発明者：
加藤 俊光

加藤 俊光 について

, 
相沢 吉昭

相沢 吉昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009700
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209447
出願日： 1997年01月22日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 逆耐圧を強化したIEGTを利用し、直流、交流両方の電流制御ができ、低コスト化、低オン電圧化が可能な半導体スイッチを提供する。【解決手段】 アイソレーション拡散法で形成したIEGT1,3が逆並列接続され、IEGT1のアノードとIEGT3のカソードが入出力端子5に、IEGT1のカソードとIEGT3のアノードが入出力端子7に共通接続される。IEGT1のゲートと入出力端子7の間、及びIEGT3のゲートと入出力端子5の間にはそれぞれのゲートをバイアスするフォトダイオードアレイ9a,11aが接続され、抵抗9b,11bが並列接続される。フォトダイオードアレイ9a,11aと光結合するLED(発光ダイオード)23の入出力はコントロール信号端25,27と接続される。
請求項（抜粋）：
IEGTを用いた、直流及び交流の電流制御を行う半導体スイッチであって、逆並列接続された第1及び第2のIEGTと、前記第1のIEGTのアノード電極と前記第2のIEGTのカソード電極とが共通接続された第1の入出力端子と、前記第1のIEGTのカソード電極と前記第2のIEGTのアノード電極とが共通接続された第2の入出力端子と、前記第1のIEGTのゲート電極をバイアスする第1のフローティング電源と、前記第2のIEGTのゲート電極をバイアスする第2のフローティング電源とを備えたことを特徴とする半導体スイッチ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 31/10 ,  H03K 17/56 ,  H03K 17/68
FI (4件)：
H01L 29/78 654 Z ,  H03K 17/68 ,  H01L 31/10 G ,  H03K 17/56 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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