特許
J-GLOBAL ID:200903022939515533

アナログスイッチ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-039177
公開番号(公開出願番号):特開2000-244298
出願日: 1999年02月17日
公開日(公表日): 2000年09月08日
要約:
【要約】【課題】 外部からの高電圧無しで、高電圧レベルを含むアナログ信号を双方向性を確保しながら完全に導通遮断すること。【解決手段】 制御端子に低電位のVCCが印加されると、トランジスタ221がオンし、トランジスタ222がオフし、トランジスタ224がオンし、このトランジスタを通して入出力端子26に掛かる前記アナログ信号電圧がトランジスタ223とトランジスタ21のゲートに導入され、これらトランジスタをオフする。制御端子に0電位が印加されると、トランジスタ221がオフし、トランジスタ222がオンし、トランジスタ21がオンすると共にトランジスタ223がオンして、このトランジスタを通して前記アナログ信号電圧がトランジスタ224のゲートに掛り、このトランジスタをオフする。トランジスタ23も同様に制御され、外部の高電圧の供給無しで、前記アナログ信号を完全に導通遮断でき、又トランジスタ21、23の直列回路により前記双方向性を確保できる。
請求項(抜粋):
2端子間を導通遮断するスイッチ部と、前記2端子間を伝達する導通遮断対象信号電圧を導入して高電位制御電圧とし、ロジック系の低電位制御電圧と基準電位間の信号振幅を前記高電位制御電圧と基準電位間の信号振幅に変換するレベルシフタ部とを備え、前記スイッチ部及び前記レベルシフタ部は複数のPMOSトランジスタあるいはNMOSトランジスタで構成されることを特徴とするアナログスイッチ回路。
Fターム (16件):
5J055AX05 ,  5J055AX06 ,  5J055AX11 ,  5J055BX01 ,  5J055BX17 ,  5J055CX26 ,  5J055DX14 ,  5J055DX22 ,  5J055DX44 ,  5J055DX53 ,  5J055DX61 ,  5J055DX72 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ20 ,  5J055GX01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
  • 特開平1-138812
  • FETスイッチ回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-150268   出願人:日本電気株式会社
  • 低電圧集積電源回路のための電気スイッチ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-194623   出願人:エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ

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