特許
J-GLOBAL ID：200903022953301244

プラズマ処理方法

発明者：
佐野 道明

佐野 道明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-276912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102361
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 開口形状を維持したままフォトレジスト膜とフェンス部の除去が可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 アッシング装置100の処理室102内に配置された下部電極106上にウェハWを載置した後,上部電極122と下部電極106に各々60MHzで1kWの電力と2MHzで250Wの電力を印加する。処理室102内に導入された処理ガスがプラズマ化し,ウェハWのフォトレジスト膜208がアッシングされ,かつエッチング時にビアホール210の開口周囲に形成されたフェンス部214が除去される。フォトレジスト膜208の残存中に,下部電極106に印加する電力を10W以下にする。ウェハWに導入されるイオンのエネルギーが減少し,SiO2膜のビアホール210および溝部212の肩部210a,212aが削られることなく,フォトレジスト膜208がアッシングされる。
請求項（抜粋）：
処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し,前記処理室内に配置された被処理体に形成されたフォトレジスト膜を除去するプラズマ処理方法であって:前記被処理体に第1電力のバイアス用高周波電力を印加する工程と;前記処理ガスをプラズマ化する工程と;前記フォトレジスト膜の残存中に,前記第1電力のバイアス用高周波電力を前記第1電力よりも小さい第2電力のバイアス用高周波電力に切り替え,前記被処理体に前記第2電力のバイアス用高周波電力を印加する工程と;を含むことを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
Fターム (17件)：
2H096AA30 ,  2H096CA01 ,  2H096HA23 ,  2H096JA10 ,  2H096LA07 ,  5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BD01 ,  5F004CA03 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F046LB01 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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