特許
J-GLOBAL ID：200903022992818980
金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-245845
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085333
出願日： 2007年09月21日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を1×1014〜5×1016atoms/cm2濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えるステップと、
前記サンプルの少なくとも一面に金属を1×1014〜5×1016atoms/cm2濃度で汚染させるステップと、
前記汚染されたサンプルを熱処理するステップと、
前記熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分するステップと、を含むことを特徴とする結晶欠陥領域の区分方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 N
, C30B29/06 Z
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CE03
, 4G077CF10
, 4G077FA02
, 4G077FE07
, 4G077FE12
, 4G077FE13
, 4G077GA02
, 4G077GA05
, 4G077GA06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4M106AA01
, 4M106BA10
, 4M106CB19
, 4M106DH56
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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