特許
J-GLOBAL ID:200903023014260965

冷却器と、その冷却器上に半導体素子が実装されている半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-002550
公開番号(公開出願番号):特開2007-184479
出願日: 2006年01月10日
公開日(公表日): 2007年07月19日
要約:
【課題】 熱応力を緩和し、熱抵抗を低減することができる冷却器を提供すること。【解決手段】 本発明の冷却器20は、窒化アルミニウムを含む絶縁層20a〜20gの複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えている。その絶縁層20a〜20gは、開口23〜26を有している。その絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路27を形成している。絶縁性積層体20の外表面には、第1外表面開口22aと第2外表面開口23aが形成されている。第1外表面開口22aと第2外表面開口23aは、流路27を介して連通している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
冷却器であり、 窒化アルミニウムを含む絶縁層の複数枚が積層されている絶縁性積層体を備えており、 その絶縁性積層体を構成する少なくとも2枚以上の絶縁層の各々が開口を有しており、 各絶縁層の開口の少なくとも一部と、その絶縁層に隣接して積層されている絶縁層の開口の少なくとも一部が積層方向に連通して流路を形成しており、 その絶縁性積層体の外表面には、第1外表面開口と第2外表面開口が形成されており、 第1外表面開口と第2外表面開口が前記流路を介して連通していることを特徴とする冷却器。
IPC (1件):
H01L 23/473
FI (1件):
H01L23/46 Z
Fターム (3件):
5F136CB06 ,  5F136DA21 ,  5F136FA16
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 特開昭61-196558
  • セラミック回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-133158   出願人:京セラ株式会社, トヨタ自動車株式会社
  • ICパッケージ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-314078   出願人:株式会社住友金属セラミックス

前のページに戻る