特許
J-GLOBAL ID：200903023020097197
プラズマ清浄プロセス中の終点を求める方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180777
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074258
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 清浄プロセス終点検出を組み込んだCVDシステムのプラズマ清浄作業を利用する装置および方法を提供する。【解決手段】 ある態様では、清浄プロセスを一定の排気能力で実行し、終点検出は特定のチャンバ圧力変化率に応じて行われる。別の態様では、サーボ制御排気システムが制御チャンバ圧力を維持し、終点検出は特定の制御信号に応じて行われる。好適な態様では、三フッ化窒素がマグネトロン電力供給リモートマイクロ波プラズマ生成器内で自由フッ素ラジカルを含むプラズマに変換される。リモート生成された自由フッ素ラジカルを用いて、基板処理チャンバからシリコン窒化堆積物を除去する。このようなリモートプラズマシステムの使用により、同様のin situプラズマ清浄プロセスと比較して約半分の時間しか要しない効率の良い清浄プロセスが得られる。
請求項（抜粋）：
基板処理チャンバから堆積物を清浄する方法であって、(a)清浄用ガスから形成されたプラズマにチャンバを曝露するステップと、(b)前記チャンバ内の圧力レベルを測定して、特定の圧力変化率を求めるステップと、(c)前記特定圧力変化率に応じて前記プラズマを消火するステップと、を備える方法。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, C23G 5/028
, C23G 5/04
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/31 C
, C23C 16/44 J
, C23G 5/028
, C23G 5/04
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
