特許
J-GLOBAL ID：200903023020535844

基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置

発明者：
ロビンソン・ミエケル・フランクス

ロビンソン・ミエケル・フランクス について


出願人/特許権者：
イーエムエフ・アイルランド・リミテッド

イーエムエフ・アイルランド・リミテッド について


代理人 (1件)： 杉本 修司 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-618531
公開番号（公開出願番号）：特表2002-544116
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2002年12月24日
要約：
【要約】【解決手段】 基板(1) 上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法であって、 基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/205
Fターム (34件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA10 ,  4G077EJ10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TB05 ,  4G077TH13 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD01 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045EE07
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開昭58-125698
  • 特開昭62-188309
  • 成膜装置及び成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204443   出願人：松下電器産業株式会社
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