特許
J-GLOBAL ID：200903058394468855

基板の温度分布測定方法

発明者：
中村 正志

中村 正志 について

, 
荒巻 聡

荒巻 聡 について

, 
金田 亙

金田 亙 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンエナジー

株式会社ジャパンエナジー について


代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269546
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106289
出願日： 1997年10月02日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：
【要約】【課題】 基板上に薄膜を気相成長させるための反応炉内において、回転する基板の温度分布を正確に測定することのできる温度分布測定方法を提供する。【解決手段】 薄膜を気相成長させるための反応炉内に設けられる回転式サセプタ上に載置される基板の温度分布測定方法であって、所定位置に設けられた温度測定手段(熱放射温度計7)によって、回転するサセプタ1B上に載置される基板(a〜d)の表面温度を連続的に測定し、サセプタの回転数に関する情報に基づいて、サセプタの回転に伴って変移する基板の測定点の軌跡を解析し、その解析結果に基づいて、前記温度測定手段によって測定された温度データを各測定点に対応付けすることにより基板表面の温度分布を算定するようにした。
請求項（抜粋）：
薄膜を気相成長させるための反応炉内に設けられる回転式サセプタ上に載置される基板の温度分布測定方法であって、所定位置に設けられた温度測定手段によって、回転するサセプタ上に載置される基板の表面温度を連続的に測定し、サセプタの回転数に関する情報に基づいて、サセプタの回転に伴って変移する基板の測定点の軌跡を解析し、その解析結果に基づいて、前記温度測定手段によって測定された温度データを各測定点に対応付けすることにより基板表面の温度分布を算定することを特徴とする基板の温度分布測定方法。
IPC (2件)：
C30B 25/16 ,  G01J 5/10
FI (2件)：
C30B 25/16 ,  G01J 5/10 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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