特許
J-GLOBAL ID：200903023040945089
半導体チップ及びその実装方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242790
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092828
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップ1の外部端子2に錫又は錫の含有量が多い金属材からなるバンプ電極5を接続することができない。また、耐熱温度の低い樹脂基板からなる配線基板7の実装面上にバンプ電極5を介在して半導体チップ1を実装することができない。【解決手段】 外部端子2上に下地電極3を有する半導体チップ1であって、前記下地電極3をクロム膜、チタン膜、タングステン膜又はモリブデン膜のいずれかの高融点金属膜で形成する。
請求項（抜粋）：
外部端子上に下地電極を有する半導体チップであって、前記下地電極が、クロム膜、チタン膜、タングステン膜又はモリブデン膜のいずれかの高融点金属膜で形成されていることを特徴とする半導体チップ。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
H01L 21/92 603 D
, H01L 21/60 311 S
