特許

J-GLOBAL ID：200903023053304570

半導体レーザ素子、その製造方法および半導体レーザ装置

発明者： 市川 英樹
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-048409
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243730
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 半導体レーザ素子をヒートシンクへ実装する際に、半導体レーザ素子における内部歪の発生を抑制する。【解決手段】 本発明は、半導体基板の主面の表面に、活性層およびクラッド層を含む結晶層と、第2電極層とを有し、主面の裏面に第1電極層を有し、第1電極層と第2電極層が金属薄膜からなる半導体レーザ素子において、第1電極層は、半導体基板の側から順に、第1Mo層と、第1Au層と、第2Mo層と、第2Au層とを備え、第1Au層が、第2Au層より厚いことを特徴とする。第1電極層は、半導体基板の側から順に、第3Mo層と、第3Au層と、第1Mo層と、第1Au層と、第2Mo層と、第2Au層とを備える態様が好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面の表面に、活性層およびクラッド層を含む結晶層と、第2電極層とを有し、主面の裏面に第1電極層を有し、第1電極層と第2電極層が金属薄膜からなる半導体レーザ素子において、 第1電極層は、半導体基板の側から順に、第1Mo層と、第1Au層と、第2Mo層と、第2Au層とを備え、 第1Au層が、第2Au層より厚いことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01S5/022

FI (3件)：

H01S5/042 610 ,  H01L21/28 301B ,  H01S5/022

Fターム (17件)：

4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD52 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F073AA61 ,  5F073BA06 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073EA18 ,  5F073FA15 ,  5F073FA21

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭59-210687号公報
  
• 特開昭58-108784号公報
  

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-276674   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-102603   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-174318
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083230   出願人：株式会社日立製作所