特許
J-GLOBAL ID：200903023080442330

基板処理装置

発明者：
永嶋 慎二

永嶋 慎二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 大森 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260431
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085416
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 パーティクルによる汚染を極力抑えつつ、所望特性が得られる処理を迅速に行うことができる基板処理装置の提供。【解決手段】 主ウエハ搬送機構22から加熱処理室51内にウエハWを受け渡す際には、加熱処理室51内に窒素ガスが噴出され、加熱処理室51内が主ウエハ搬送機構22側の気圧よりも高い気圧に設定されている。その後、加熱処理室51内に加熱処理のための密閉空間を形成し、そして窒素ガスの噴出を停止すると共に、真空ポンプ70を作動させて加熱処理室51内を大気圧よりも低い気圧に設定し、ウエハWに対する加熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
大気圧よりも高く設定された雰囲気に配置され、基板を搬送する搬送装置と、前記搬送装置により基板を搬入出され、基板を加熱処理する加熱処理室と、前記搬送装置と前記加熱処理室との間で基板を受け渡す際には前記加熱処理室内に所定の気体を導入して前記加熱処理室内を前記搬送装置側の気圧よりも高い気圧に設定し、前記加熱処理室内で基板を加熱処理する際には前記加熱処理室内を大気圧よりも低い気圧にする気圧制御機構とを具備することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/68
FI (3件)：
H01L 21/31 A ,  B65G 49/07 Z ,  H01L 21/68 A
Fターム (27件)：
5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA12 ,  5F031MA30 ,  5F031NA04 ,  5F031NA05 ,  5F031PA26 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AF01 ,  5F045BB15 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EB12 ,  5F045EB19 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN02 ,  5F045EN04 ,  5F045GB06 ,  5F045HA16 ,  5F045HA25
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 熱処理装置及び熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100581   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 特開平4-162526
  • 基板処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148650   出願人：東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 熱処理装置及び熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100581   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 特開平4-162526
  • 特開平4-162526
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