特許

J-GLOBAL ID：200903023111555392

磁気検出素子及びその製造方法

発明者： 田中 健一 ,  梅津 英治 ,  五十嵐 一聡 ,  朝妻 浩太 ,  岡西 紀昌 ,  西山 義弘 ,  斎藤 正路 ,  井出 洋介 ,  西村 和正 ,  中林 亮 ,  小林 秀和 ,  花田 成 ,  長谷川 直也
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128827
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288235
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】 特に、下地層を改良して、抵抗変化率(ΔR/R)に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、PW50(波形半値幅)やSN比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】 下地層1は、アモルファスの磁性材料であるCo-Fe-Bで形成される。よって、上下シールド間のギャップ長(GL)の下部シールド層21側の基準位置を、前記下地層1上とみなすことができ、従来に比べて狭ギャップ化を図ることができる。さらに前記下地層1はアモルファス構造であるため、前記下地層1がその上に形成される各層に対する結晶配向性に悪影響を及ぼすことなく、しかも前記下地層の表面は平坦化性にも優れる。以上により抵抗変化率(ΔR/R)等を低下させることなく、従来に比べて、PW50(波形半値幅)やSN比等を向上でき高記録密度化に適した構造とすることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

膜厚方向に間隔を空けて対向する下部シールド層と上部シールド層の間に、複数の層が積層されて成る多層膜が形成されており、 前記多層膜のトラック幅方向の最大幅寸法は、前記下部シールド層及び前記上部シールド層のトラック幅方向の幅寸法に比べて小さく、前記多層膜のトラック幅方向の両側部は、バイアス層と絶縁層との積層構造で埋められており、 前記多層膜の最下層は下地層で前記下部シールド層上に接して形成されており、前記多層膜の最上層は保護層であり、前記下地層と前記保護層間には、膜厚方向に、少なくとも固定磁性層と、フリー磁性層と、前記固定磁性層とフリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とが形成されており、 前記下地層は、アモルファスの磁性材料で形成されていることを特徴とする磁気検出素子。

IPC (4件)：

H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39

Fターム (41件)：

4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119DD07 ,  4M119DD09 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA13 ,  5D034BB08 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5F092AA01 ,  5F092AA02 ,  5F092AB01 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB59 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC46 ,  5F092BE06 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354261   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果ヘッド、その製造方法、及びそれを用いた磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-160728   出願人：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-272516   出願人：日本電気株式会社