特許
J-GLOBAL ID：200903023112847931
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047094
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237492
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 平坦性が良好な共振器端面を有し、特性および信頼性の向上が図られた半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子100は、サファイア基板1上に各層2〜10が順に形成されてなる。この半導体レーザ素子100の共振器長の方向は〈01-10〉方向である。各層4〜10の〈01-10〉方向の端面には、アンドープのGaNからなりかつ(01-10)面を表面とするGaN端面再成長層13が形成されている。このGaN端面再成長層13の(01-10)面が共振器端面を構成する。
請求項（抜粋）：
端面を有しかつ発光層を含む第1の窒化物系半導体層が基板上に形成されるとともに、前記第1の窒化物系半導体層の端面に第2の窒化物系半導体層が形成され、前記第2の窒化物系半導体層の表面が共振器端面を構成することを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F073AA11
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA85
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA31
, 5F073DA35
