窒化物半導体レ-ザ装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098517
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049410
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるAl1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1、且つ、0≦x+y+z≦1)からなる窒化物半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/028 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 3/18 618 , H01S 3/18 677

引用特許：

審査官引用 (6件)

全件表示

前のページに戻る