特許
J-GLOBAL ID：200903023117388137
Beドーピング方法,エピタキシャル成長方法,半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199455
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102567
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【課題】 容易に、かつ高品質のBeドーピングを可能とできるBeドーピング方法を得る。【解決手段】 III-V族化合物半導体をエピタキシャル成長する際に、III-V族化合物半導体結晶中にBeをドーピングするためのドーパント材料として(MeCP)2 Beを用いるようにした。【効果】 (MeCP)2 Beが、従来のBeドーパント材料として用いられていたDMBeよりも蒸気圧が低いので、ドーピング制御を容易とでき、また、(MeCP)2 BeはDMBeよりも純度の高いものを容易に入手できるので、ドーピングの際に酸素等の不純物が結晶中に混入するのを抑制することが容易であり、品質の高いp型層を容易に実現できる。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体をエピタキシャル成長する際に、III-V族化合物半導体結晶中にベリリウムをドーピングする方法において、ベリリウムをドーピングするためのドーパント材料として、有機金属(CH3C5 H4 )2 Be(=(MeCP)2 Be:ビスメチルシクロペンタジエニルベリリウム)を用いることを特徴とするBeドーピング方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 33/00
