3-5族化合物半導体と発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-046785
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302929
出願日： 1995年03月07日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】Inを含む高品質の3-5族化合物半導体及びこれを用いた高い発光効率を有する発光素子を提供する。【構成】発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であって、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中、0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体であって、バッファ層が、一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0<u≦1、0≦v<1、0≦w<1、u+v+w=1)で表され、少なくとも2つの組成の異なる層からなり、少なくとも1つの層においてw>0である積層構造を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体。

請求項（抜粋）：

発光層と電荷注入層とを有する層と、基板との間に、バッファ層を有し、発光層が一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体であって、電荷注入層が一般式In<SB>x'</SB>Ga<SB>y'</SB>Al<SB>z'</SB>N(式中、0<x’≦1、0≦y’<1、0≦z’<1、x’+y’+z’=1)で表され、発光層よりも大きなバンドギャップを有する3-5族化合物半導体であって、バッファ層が、一般式In<SB>u</SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(式中、0<u≦1、0≦v<1、0≦w<1、u+v+w=1)で表され、少なくとも2つの組成の異なる層からなり、少なくとも1つの層においてw>0である積層構造を含むことを特徴とする3-5族化合物半導体。

引用特許：

審査官引用 (9件)

量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-135220 出願人：旭化成工業株式会社
積層半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-348400 出願人：シャープ株式会社

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