特許
J-GLOBAL ID：200903023155501761

プラズマCVD法による薄膜形成方法及び反射防止積層体

発明者：
中嶋 達司

中嶋 達司 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-117540
公開番号（公開出願番号）：特開2003-306770
出願日： 2002年04月19日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 基材上に、反射防止薄膜を形成する場合、薄膜の膜厚や、薄膜の表面の制御ができ、薄膜形成の生産性が高く、生産コストを抑えることができ、プラズマCVD法による薄膜形成方法とそれによる反射防止積層体を提供する。【解決手段】 反応室内に所定ガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置し、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する方法で、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、基材上に酸化物薄膜の下地層として、原料ガス、活性ガス、不活性ガスを反応室に導入し、活性ガスと不活性ガスが基材をエッチングし、同時に基材上に酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜の膜厚方向の炭素含有量が基材側から連続的に減少し、その酸化物薄膜の上に、凹凸層として、原料ガス、活性ガスを反応室に導入し、反応室における圧力を増加させ、気相中で原料分子を粒状に成長させ、基材表面に付着させて凹凸層を形成する。
請求項（抜粋）：
反応室内に所定のガスを導入し、成膜ドラム上の基材と、対向電極を設置して、反応性ガスをプラズマ化して、基材上に薄膜を形成する方法において、基材をロールからロールに連続で巻き上げる方式で、基材上に酸化物薄膜の下地層として、原料ガス、活性ガス、不活性ガスを反応室に導入し、活性ガスと不活性ガスが基材をエッチングし、同時に基材上に酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜の膜厚方向の炭素含有量が基材側から連続的に減少していて、その酸化物薄膜の上に、凹凸層として、原料ガス、活性ガスを反応室に導入し、反応室における圧力を増加させて、気相中で原料分子を粒状に成長させ、基材表面に付着させて表面の凹凸した層を形成することを特徴とするプラズマCVD法による薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/40 ,  B32B 9/00 ,  G02B 1/10 ,  G02B 1/11
FI (4件)：
C23C 16/40 ,  B32B 9/00 A ,  G02B 1/10 A ,  G02B 1/10 Z
Fターム (38件)：
2K009AA10 ,  2K009AA12 ,  2K009AA15 ,  2K009BB11 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AH06C ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DD01C ,  4F100DD07C ,  4F100EH66B ,  4F100EH662 ,  4F100EJ152 ,  4F100EJ602 ,  4F100GB41 ,  4F100JK01 ,  4F100JL02 ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100JN06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BB13 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030HA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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