TFTアレイ基板、液晶表示装置、TFTアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：原謙三 , 木島隆一 , 金子一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207744
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247704
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】例えばインクジェット方式を利用し、製造工数の低減およびコストダウンを可能とする。【解決手段】TFTアレイ基板11は、ガラス基板12上にゲート電極13が形成され、このゲート電極13の本線から分岐したTFT部ゲート電極66の上に、ゲート絶縁層15を介して半導体層16が形成されたTFT部22を備えている。このTFTアレイ基板11において、半導体層16は液滴の滴下形状をなしている。したがって、液滴の滴下により半導体層を直接形成可能、あるいは液滴の滴下により半導体層を形成するためのレジスト層を直接形成可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にゲート電極が形成され、このゲート電極の上にゲート絶縁層を介して半導体層が形成された薄膜トランジスタ部を備えているTFTアレイ基板において、前記半導体層が液滴の滴下形状をなしていることを特徴とするTFTアレイ基板。

IPC (6件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768

FI (11件)：

H01L29/78 618C , G02F1/1368 , H01L21/288 Z , H01L29/78 617J , H01L29/78 627C , H01L29/78 618A , H01L29/78 616K , H01L29/78 616T , H01L21/88 B , H01L21/88 M , H01L21/90 A

Fターム (162件)：

2H092JA26 , 2H092JA38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA37 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092PA09 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104FF17 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH04 , 4M104HH20 , 5F033GG01 , 5F033HH05 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ05 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033LL04 , 5F033MM19 , 5F033NN12 , 5F033PP06 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR27 , 5F033SS22 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX28 , 5F033XX32 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE25 , 5F110EE42 , 5F110EE47 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG15 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM04 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN37 , 5F110NN45 , 5F110NN49 , 5F110NN52 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (8件)

インクジェット印刷を用いた有機半導体デバイスの製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-529742 出願人：トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ
特開平4-039966
薄膜トランジスタ及びそのアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-184245 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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