特許
J-GLOBAL ID：200903023179090622
半導体装置の製造方法、ウェハの研磨方法、および電極間隔の設定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-038797
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220842
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】製品ウェハの処理後膜厚の精度が良くなるように、量産での着工実績のデータより処理過程モデルのパラメータを自動的に決定することのできるウェハの研磨方法を提供する。【解決手段】ウェハの研磨方法において、パラメータを求める必要のある対象製品のサンプル数がモデルの項数に満たない場合、もしくは仮定している研磨過程モデルの元や次数が、実際の研磨過程を反映していない場合には、サンプル数以下の項数となる全ての項の組合せに対して最小二乗法によりパラメータを推定し、研磨量の推定値と実績値の誤差の標準偏差を最小とするか、もしくは項数の影響を反映した赤池情報基準量AICを最小とする項の組合せにより研磨過程モデルを選定する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
製品ウェハを処理するシステムにおける半導体装置の製造方法であって、
前記システムにより、
着工の対象となる製品ウェハの処理前の状態量を取得する第1のステップと、
前記着工の対象となる製品ウェハの処理に利用する装置の性能を確認するためのモニタ着工の処理前と後の状態量と処理実績を取得して前記装置の装置状態量を算出するか、もしくは推定済みの装置状態量を取得する第2のステップと、
処理量が処理時間、装置状態量、半導体装置処理前状態量の2次以上の項を含む多項式で表現される処理過程モデルとそのパラメータを、製品の種類別に取得する第3のステップと、
定められている製品ウェハの処理後状態量と前記第1のステップで取得した処理前の状態量より、所要の処理量を求める第4のステップと、
前記第3のステップで得た処理過程モデルとそのパラメータに基づき、前記第1のステップで取得した製品ウェハの処理前の状態量と、前記第2のステップで得た装置状態量、前記第4のステップで求めた所要の処理量より、処理時間に関する制約条件もしくは処理過程モデルについての制約条件を満たす処理時間を算出する第5のステップと、
前記製品ウェハの処理後の状態量を取得して、前記第1のステップで取得した処理前の状態量より処理量の実績値を求める第6のステップと、
前記第3のステップで取得した処理過程モデルとそのパラメータに基づき、前記第1のステップで求めた処理前の状態量、前記第2のステップで得た装置状態量、前記第6のステップで求めた処理量より、前記処理過程モデルのパラメータを推定する第7のステップとを実行し、推定された処理過程モデルとそのパラメータに基づき算出された処理時間を前記製品ウェハに対する処理条件として決定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/04
, B24B 51/00
H01L21/304 622R
, B24B37/04 Z
, B24B51/00
3C034CA03
, 3C034CA15
, 3C034DD03
, 3C034DD07
, 3C034DD10
, 3C058AA07
, 3C058AC02
, 3C058BA02
, 3C058BA07
, 3C058BA13
, 3C058BB06
, 3C058BB09
, 3C058BC02
, 3C058CA05
, 3C058CB03
, 3C058CB04
, 3C058DA12
, 3C058DA17
