特許
J-GLOBAL ID：200903070887823352
加工物の製造方法、ウェハの処理レシピ決定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040485
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253493
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】従来方法によると、製品の計測位置が異なった場合や製品の種類に依存して処理能力が異なる場合に、装置の経時変化によって引き起こされるウェハ面内での処理の変動の取得方法は示されていない。また、製品ウェハの種類が変わった時に、その種類による処理能力の違いを反映してレシピを決定する方法は示されていない。そのため、処理後の状態をウェハ面内で均一とするレシピを決定できない。【解決手段】装置の処理能力をモニタするウェハの着工結果より基準となる処理能力の面内分布を求め、製品ウェハの着工実績より基準となる処理能力の面内分布を更新し、新たに着工する製品ウェハの計測位置での処理能力を基準とする処理能力の面内分布より求め、製品ウェハ処理前の状態の面内分布より処理後の状態を均一とするレシピを決定することで、半導体を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
加工物の製造方法であって、
着工の対象となる加工物の、処理前の測定位置の情報を含む検査結果データを取得する第1のステップと、
着工の対象となる加工物に対して、これから着工を行う装置で過去に着工した加工物の処理実績データ、機器管理データ、および計測位置の情報を含む検査結果データを取得する第2のステップと、
着工の対象となる加工物に対して、処理に利用する装置の装置性能を確認するためのモニタ用加工物の処理実績データ、機器管理データおよび計測位置の情報を含む検査結果データより、装置の処理能力の加工物上の分布を求める第3のステップと、
第2のステップで取得した過去の処理実績データ、機器管理データ、検査結果データより計測位置別に装置の処理能力を推定し、第3のステップで求めた装置の処理能力の分布を更新する第4のステップと、
第4のステップで得られた処理能力の分布より、加工の対象となる加工物の測定位置での処理能力を求める第5のステップと、
第1のステップで取得した処理前の検査結果データと、第5のステップで求めた処理能力より処理後の検査における管理値を満たす処理条件を求める第6のステップと、
を経て、加工物の各計測位置での処理前状態と装置の処理能力分布より、加工物上の処理結果を均一とする処理条件を決定する事を特徴とする加工物の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/02
, H01L21/205
, H01L21/3065
H01L21/02 Z
, H01L21/205
, H01L21/302 103
5F004AA01
, 5F004BD04
, 5F004CA08
, 5F004CB01
, 5F045BB02
, 5F045GB13
, 5F045GB16
