半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212465
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040499
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】ニッケルを利用して得られた結晶性珪素膜中かたニッケル元素を除去する。【解決手段】非晶質珪素膜403の表面に404で示されるようにニッケル元素を接して保持させ、さらに加熱処理により結晶性珪素膜405に変成する。その後、マスク406を形成し、燐のドーピングを行う。この工程で407の領域に燐がドーピングされる。その後、レーザー光または強光の照射により燐がドーピングされた領域の活性化を行う。そして再度の加熱処理を行い、407の領域にニッケルをゲッタリングさせる。そして、ニッケルが集中した407の領域を除去することにより、ニッケルがゲッタリングされ、さらに高い結晶性を有する領域408を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に珪素を含む非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、前記非晶質半導体膜に対して、該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を導入する第2の工程と、加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させる第3の工程と、前記第3の工程で得られた半導体膜に対して、前記触媒元素をゲッタリングすることができる元素を選択的に導入する第4の工程と、前記ゲッタリング用の元素を活性化させる第5の工程と、第4の工程でゲッタリング用の元素を導入した領域に前記触媒元素を加熱処理によりゲッタリングさせる第6の工程と、を少なくとも含み、前記第3、第6の工程は前記基板の温度が該基板の歪み点温度を越えないように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 S , H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097478 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-216608 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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