特許

J-GLOBAL ID：200903023194659500

磁気メモリ装置

発明者： 大塚 渉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-121215
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303231
出願日： 2004年04月16日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 メモリ装置の低消費電力化および高集積化と、メモリ装置の高速動作とが両立し得る構造を有する磁気メモリ装置を提供すること。【解決手段】 磁化固定層4〜7とトンネルバリア層3と磁化自由層2とが積層されてなるTMR素子10からなるメモリ部を有し、ビット線11(第1配線)がTMR素子10を埋め込んだ層間絶縁膜54(第1絶縁層)を介して形成され、層間絶縁膜50(第2絶縁層)を介して書き込みワード線12(第2配線)が対向配置され、ビット線11と書き込みワード線12とを用いて書き込みを行うように構成された磁気メモリ装置において、ビット線11を、周辺回路部において層間絶縁膜54とは離間した上部に形成された接続配線65(第3配線)に接続し、ビット線11と書き込みワード線12との距離の短縮が、接続配線65の寄生容量の増加を生じないようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定された磁化固定層と、トンネルバリア層と、磁化方向の変化が可能な磁化自由層とが積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子によって磁気メモリ素子が構成され、この磁気メモリ素子からなるメモリ部を有し、前記トンネル磁気抵抗効果素子に接続された第1配線が、前記トンネル磁気抵抗効果素子との接続部以外に設けられた第1絶縁層を介して形成され、かつ、前記第1配線とは反対側に第2絶縁層を介して前記トンネル磁気抵抗効果素子に第2配線が対向配置され、前記第1配線と前記第2配線とを用いて前記トンネル磁気抵抗効果素子へ書き込みを行うように構成された磁気メモリ装置において、 前記第1配線が、前記第1絶縁層とは離間した状態で形成された第3配線に接続され て周辺回路部へ導かれていることと、 前記第2配線が、前記第2絶縁層とは離間した状態で形成された第4配線に接続され て周辺回路部へ導かれていることと の少なくとも一方を構成とすることを特徴とする、磁気メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L27/10

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L27/10 481

Fターム (31件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA02 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40 ,  5F083PR42 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR52 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026291   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 米国特許第6174737号明細書(第2-6頁、図1-13)