特許
J-GLOBAL ID：200903094069068324
積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231784
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116490
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 メモリ・セルの密度を高めしかも電力消費の低減を図った磁気ランダム・アクセス・メモリを提供する。【解決手段】 磁気ランダム・アクセス・メモリ(10)は、半導体基板(11)上に複数の積層メモリ・セルを有し、各メモリ・セルは、磁性体部分(12),ワード・ライン(13),およびセンス・ライン(14)を基本的に有する。上位センス・ライン(22)は、オーミック・コンタクトによって、導線(23)を通じて下位センス・ライン(12)に電気的に結合されている。メモリ・セル内において状態の読み出しおよび格納を行うには、下位および上位ワード・ライン(13,18)を活性化することにより、全磁場を磁性体部分(12)に印加する。この積層メモリ構造は、磁気ランダム・アクセス・メモリ(10)において、半導体基板(11)上に集積するメモリ・セルの増大を可能にする。
請求項（抜粋）：
積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリ(10)であって:半導体基板(11);および前記半導体基板上に、一方が他方の上に位置する関係で積層された複数のメモリ・セルであって、状態を格納する磁性体部分(12),前記磁性体部分に隣接し、前記磁性体部分に磁場を印加するワード電流を供給するワード・ライン(13),および前記磁性体物質内に格納されている状態を検出するセンス電流を供給するセンス・ライン(14)を各々が有するメモリ・セル;から成ることを特徴とする磁気ランダム・アクセス・メモリ(10)。
引用特許：
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