半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277931
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119498
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】薄型の半導体装置の製造段階において、半導体基板の反りを、割れが生じない程度に抑えること。【解決手段】第1の半導体基板11の裏面を研削し、その裏面側にn型不純物層14を形成するために、イオン注入をおこなった後、裏面に支持基板15を貼り付ける。その状態で、第1の半導体基板11の表面に半導体素子の表面構造部17を作製する。その後、支持基板15を取り除き、第1の半導体基板11の裏面側にp型不純物層19を形成するために、イオン注入をおこなう。そして、注入されたp型不純物をレーザアニールにより拡散させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面を研削する工程と、前記半導体基板の裏面側に第1導電型の不純物層を形成するために、イオン注入をおこなう工程と、前記半導体基板の裏面に支持基板を貼り付ける工程と、前記半導体基板の表面に半導体素子の表面構造を作製する工程と、前記支持基板を取り除く工程と、を順におこなうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/336 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 658K , H01L29/78 652Z , H01L29/78 655Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-054945 出願人：株式会社東芝
絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-056958 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172253 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る