特許
J-GLOBAL ID：200903023242673234
エピタキシャルウェーハの製造方法及びその方法により製造されたエピタキシャルウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262141
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076007
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 デバイス作製工程においてエピタキシャルウェーハが汚染金属のイントリンシックゲッタリング能力を有する。【解決手段】 先ず窒素をドープしたシリコン単結晶棒14の引上げ速度をV(mm/分)とし、シリコン単結晶棒及びシリコン融液13の固液界面からこの界面の上方10mmまでにおけるシリコン単結晶棒内の引上げ方向の温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gが0.290〜0.340mm2/分・°Cとなるような引上げ速度V(mm/分)で引上げる。次にシリコン単結晶棒の引上げ時であって1130°Cから1050°Cまでの温度範囲を10〜30分間で冷却し、かつ850°Cから650°Cまでの温度範囲を120〜200分間で冷却する。更にシリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウェーハを作製した後に、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する。
請求項（抜粋）：
窒素をドープしたシリコン単結晶棒(14)の引上げ速度をV(mm/分)とし、前記シリコン単結晶棒(14)及びシリコン融液(13)の固液界面からこの界面の上方10mmまでにおける前記シリコン単結晶棒(14)内の引上げ方向の温度勾配の平均値をG(°C/mm)とするとき、V/Gが0.290〜0.340mm2/分・°Cとなるような引上げ速度V(mm/分)で引上げる工程と、前記シリコン単結晶棒(14)の引上げ時であって1130°Cから1050°Cまでの温度範囲を10〜30分間で冷却しかつ850°Cから650°Cまでの温度範囲を120〜200分間で冷却する工程と、前記シリコン単結晶棒(14)をスライスしてシリコンウェーハを作製した後に前記シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, H01L 21/208
H01L 21/322 Y
, C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 J
, H01L 21/208 P
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EH06
, 4G077EH09
, 4G077PF51
, 5F053AA13
, 5F053AA22
, 5F053AA32
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053RR03
