パターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184719
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】有機膜よりなるパターンからモールドを離脱させる際に、モールドの反転パターンの凹部に有機膜パターンが残存しないようにして、良好な形状を有する有機膜パターンが得られるようにする。【解決手段】半導体基板12上に、フッ素原子を含むポリマーからなる有機膜13を形成した後、該有機膜13に、所望のパターンが反転してなる反転パターン11を有するモールドの反転パターン11を押し付けて、有機膜13に所望のパターンを転写することにより、有機膜13からなる有機膜パターン13Aを形成する。しかる後、モールドを有機膜パターン13Aから離脱させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、フッ素原子又はシリコン原子を含むポリマーからなる有機膜を形成する工程と、前記有機膜に、所望のパターンが反転してなる反転パターンを有するモールドの前記反転パターンを押し付けて、前記有機膜に前記所望のパターンを転写することにより、前記有機膜からなる有機膜パターンを形成する工程と、前記モールドを前記有機膜パターンから離脱させる工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (10件)：

H01L 21/30 , B32B 27/00 101 , B32B 27/08 , B32B 27/30 , H01L 21/3065 , B29C 59/02 , B29K 25:00 , B29K 33:00 , B29K 45:00 , B29K 61:00

FI (10件)：

H01L 21/30 , B32B 27/00 101 , B32B 27/08 , B32B 27/30 D , B29C 59/02 Z , B29K 25:00 , B29K 33:00 , B29K 45:00 , B29K 61:00 , H01L 21/302 J

Fターム (44件)：

4F100AK02B , 4F100AK02J , 4F100AK12B , 4F100AK12J , 4F100AK17B , 4F100AK17J , 4F100AK25B , 4F100AK25J , 4F100AK33B , 4F100AK33J , 4F100AK52B , 4F100AK52C , 4F100AK52K , 4F100AL01B , 4F100AT00A , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100EC04 , 4F100EJ15 , 4F100HB00B , 4F100HB00C , 4F100HB08B , 4F100HB08C , 4F100JL14 , 4F209AA12 , 4F209AA13 , 4F209AA20 , 4F209AA37 , 4F209AG04 , 4F209AG05 , 4F209AH33 , 4F209PA02 , 4F209PB01 , 4F209PC05 , 4F209PG05 , 4F209PN06 , 5F004AA16 , 5F004DA26 , 5F004DB23 , 5F004EA40 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭58-009323
パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-149285 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-040647 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る