特許
J-GLOBAL ID：200903071215480429
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040647
公開番号（公開出願番号）：特開2000-321774
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜180nm帯の光を用いてパターン露光を行なってレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及びメルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に、157nm帯の波長を持つF2 レーザ光13をマスク12を介して照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。
請求項（抜粋）：
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アミノ基、アルキル基、トリフルオロメチル基及びメルカプト基からなる群の中から選ばれた少なくとも1つの原子又は基を含むレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光された前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/11
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/11
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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